台湾積体電路製造（TSMC）は、人工知能（AI）向け半導体需要の爆発的な増加に対応するため、最先端の3ナノメートルプロセス（N3）の生産を積極的に推進している。同社は、日本、台湾、米国に新たな製造工場を建設するとともに、既存の生産ラインをN3対応にアップグレードするなど、強固なグローバル戦略を展開している。こうした大規模な規模拡大の結果、2026年の設備投資額は、当初のガイダンスレンジである520億～560億米ドルの上限に達すると予測されている。

これらの新施設の稼働時期は、世界的な安定供給を確保するため、戦略的に段階的に設定されています。台湾では、Fab 18 Phase 9が2027年前半に量産を開始する予定です。これに続き、米国アリゾナ州のFab 21 Phase 2が2027年後半に稼働開始を目指します。さらに、JASM Fab 23 Phase 2は2028年に量産開始予定です。

重要な戦略的転換として、同社は既存の製造拠点の最適化も決定しました。これには、6インチFab 2と、窒化ガリウム（一般的に窒化ガリウムと呼ばれる）専用の8インチ施設の規模縮小が含まれます。これらの施設は用途変更され、需要の高い技術分野へのサービス向上を図るため、先進的なノードハブに統合されます。このリソースの再配分は、より小型で高速、かつエネルギー効率の高い高性能コンピューティングソリューションへの業界のシフトを明確に示しています。