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SiC/GaN-Wafer

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sic substrate 6 Inch Product Grade Siliziumkarbidsubstrat 6 Zoll NG-Klasse N-Typ 4H SiC-Wafer IGBT
Siliziumkarbidsubstrat 6 Zoll NG-Klasse N-Typ 4H SiC-Wafer IGBT Angebotab CHF 1,869.00
Verarbeitungskosten für SiC- und GaN-Wafersic substrate 6 Inch Product Grade
Verarbeitungskosten für SiC- und GaN-Wafer AngebotCHF 2,221.00
sic substrate 6 Inch Product Grade Siliziumkarbidsubstrat 8-Zoll-Produktion/Dummy/NG-Klasse N-Typ 4H SiC-Wafer IGBT
Siliziumkarbidsubstrat 8-Zoll-Produktion/Dummy/NG-Klasse N-Typ 4H SiC-Wafer IGBT Angebotab CHF 623.00
Siliziumkarbid-EPI-Substrat 6-Zoll-SiC-Wafer-IGBT in Produktionsqualitätsic substrate 6 Inch Product Grade
Siliziumkarbid-EPI-Substrat 6-Zoll-SiC-Wafer-IGBT in Produktionsqualität AngebotCHF 1,653.00
sic substrate 6 Inch Product Grade Siliziumkarbidsubstrat 6-Zoll-Produktions-/Dummy-Qualität 4H N-Typ SiC-Wafer IGBT
Siliziumkarbidsubstrat 6-Zoll-Produktions-/Dummy-Qualität 4H N-Typ SiC-Wafer IGBT Angebotab CHF 237.00
sic substrate 6 Inch Product Grade Siliziumkarbidsubstrat 4 Zoll NG-Qualität, halbisolierender 4H-SiC-Wafer-IGBT
Siliziumkarbidsubstrat 4 Zoll NG-Qualität, halbisolierender 4H-SiC-Wafer-IGBT Angebotab CHF 636.00
GaN-Substrat 4-Zoll-N-Typ Galliumnitrid Dummy Grade Wafer4 Inch Gallium Nitride (GaN) Single Sided Polish Semiconductor Wafer
GaN-Substrat 4-Zoll-N-Typ Galliumnitrid Dummy Grade Wafer AngebotCHF 4,776.00
Siliziumkarbid-SiC-Ingot 6 Zoll N-Typ Produktion / Dummy-QualitätSiliziumkarbid-SiC-Ingot 6 Zoll N-Typ Produktion / Dummy-Qualität
Siliziumkarbid-SiC-Ingot 6 Zoll N-Typ Produktion / Dummy-Qualität Angebotab CHF 265.00
Siliziumkarbid-SiC-Ingot 8 Zoll N-Typ Produktion / Dummy-QualitätSiliziumkarbid-SiC-Ingot 8 Zoll N-Typ Produktion / Dummy-Qualität
Siliziumkarbid-SiC-Ingot 8 Zoll N-Typ Produktion / Dummy-Qualität Angebotab CHF 2,051.00
Aluminiumnitrid-Wafer 1~2 Zoll AIN mono hochreines Halbleitersubstrat
Aluminiumnitrid-Wafer 1~2 Zoll AIN mono hochreines Halbleitersubstrat Angebotab CHF 2,982.00