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GaN-Substrat 4-Zoll-N-Typ Galliumnitrid Dummy Grade Wafer

AngebotCHF 5,376.00

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Gallium Nitride Specification:

  • Size: 4inch ;
  • Type: N-type ;
  • Diameter : 100mm±03 ;
  • Thickness: 475um±30 ;
  • Orientation:(0001)Ga face ;
  • C-plane off-angle toward M-axis: ≤0.5°±0.15°;
  • C-plane off-angle toward A-axis: ≤0°±0.15°;
  • (002) FWHM: <100 arcsec;
  • (102) FWHM: <100 arcsec;
  • Resistivity:<0.02Ω;
  • Primary flat orientation: M-plane(10-10), ±2° ;
  • Primary flat length: 32±1mm;
  • Second flat orientation: Ga face, 90° clockwise from the major orientation flat ;
  • Second flat length: 18±1mm;
  • TTV<30um;
  • Sa<0.3nm(10um*10um);
  • Bow: -30um~30um;
  • Quantity and maximum size of holes and pits: <240@1500um;
  • Edge bevel: Beveled;
  • Front side: polished ;
  • Backside: etched ;
  • Packing: Wafer case ;
GaN-Substrat 4-Zoll-N-Typ Galliumnitrid Dummy Grade Wafer
GaN-Substrat 4-Zoll-N-Typ Galliumnitrid Dummy Grade Wafer AngebotCHF 5,376.00

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