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CdSe-Substrat Cadmiumselenid Einseitig polierter Halbleiterwafer

AngebotCHF 4,534.00

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Cadmium Selenide (CdSe) Specification:

  • Method: HPVB or HPVZM ;

  • Size:10*10*0.5mm;

  • Stucture : Wurtzite(Hexagonal);

  • Density: 5.81g/cm3 ;

  • Young's Modulus: 5x10^11dyne/cm2 ;

  • Coef. of Thermal Expansion(500k): ɑ1=6.26x10^-6/k; ɑ3=4.2810^-6/k;

  • Specific heat: 0.49J/gk ;

  • Thermal conductivity(at 25℃): 0.04W/cmK ;

  • Eg.eV(E /<0001>,300k): 1.73 ;

  • Eg.eV(E perpindicular to<0001>,300k): 1.705 ;

  • Max. Transmittance(λ=2.5-15um): >71%;

  • Absorption Coef.(λ=10.6um): <0.0015cm^-1(including 2 polisihed surfaces);

  • Refaractive index.(λ=10.6um): 2.4258(no), 2.4437(ne);

  • Specific resistvity: a) low:<1Ω; B) hight:>10^12Ω;

  • Front side: Polished ;

  • Backside: Grinded;

  • Packing: Wafer case ;

  • Production time: 4weeks

CdSe-Substrat Cadmiumselenid Einseitig polierter Halbleiterwafer
CdSe-Substrat Cadmiumselenid Einseitig polierter Halbleiterwafer AngebotCHF 4,534.00

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