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Silizium-Wafer 4 Zoll P/N Typ 1~10Ω Oxidschicht Halbleitersubstrat

AngebotCHF 28.00

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Silicon Wafer Specification:

  • Size: 4inch;

  • Method: CZ;

  • Type: P;

  • Dopant: B;

  • Orientation:100;

  • Resistivity: 1~10Ω;

  • Thickness: 525um±25;

  • Oxide layer: 150nm(both sides);

  • TTV<10um ;

  • Surface: polished;

  • Backside: etched;

  • Packing: silicon wafer case ;

Silizium-Wafer 4 Zoll P/N Typ 1~10Ω Oxidschicht Halbleitersubstrat
Silizium-Wafer 4 Zoll P/N Typ 1~10Ω Oxidschicht Halbleitersubstrat AngebotCHF 28.00

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