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Siliziumkarbidsubstrat 6 Zoll NG-Klasse N-Typ 4H SiC-Wafer IGBT
Angebotab €2.239,95 EUR
Verarbeitungskosten für SiC- und GaN-Wafer
Angebot€2.661,95 EUR
Siliziumkarbidsubstrat 8-Zoll-Produktion/Dummy/NG-Klasse N-Typ 4H SiC-Wafer IGBT
Angebotab €746,95 EUR
Siliziumkarbid-EPI-Substrat 6-Zoll-SiC-Wafer-IGBT in Produktionsqualität
Angebot€1.980,95 EUR
Siliziumkarbidsubstrat 6-Zoll-Produktions-/Dummy-Qualität 4H N-Typ SiC-Wafer IGBT
Angebotab €283,95 EUR
Siliziumkarbidsubstrat 4 Zoll NG-Qualität, halbisolierender 4H-SiC-Wafer-IGBT
Angebotab €761,95 EUR
GaN-Substrat 4-Zoll-N-Typ Galliumnitrid Dummy Grade Wafer
Angebot€5.722,95 EUR
Siliziumkarbid-SiC-Ingot 6 Zoll N-Typ Produktion / Dummy-Qualität
Angebotab €317,95 EUR
Siliziumkarbid-SiC-Ingot 8 Zoll N-Typ Produktion / Dummy-Qualität
Angebotab €2.457,95 EUR
Aluminiumnitrid-Wafer 1~2 Zoll AIN mono hochreines Halbleitersubstrat
Angebotab €3.573,95 EUR