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Siliziumkarbidsubstrat 6 Zoll NG-Klasse N-Typ 4H SiC-Wafer IGBT
Angebotab €2.015,95 EUR
Verarbeitungskosten für SiC- und GaN-Wafer
Angebot€2.395,95 EUR
Siliziumkarbidsubstrat 8-Zoll-Produktion/Dummy/NG-Klasse N-Typ 4H SiC-Wafer IGBT
Angebotab €671,95 EUR
Siliziumkarbid-EPI-Substrat 6-Zoll-SiC-Wafer-IGBT in Produktionsqualität
Angebot€1.782,95 EUR
Siliziumkarbidsubstrat 6-Zoll-Produktions-/Dummy-Qualität 4H N-Typ SiC-Wafer IGBT
Angebotab €255,95 EUR
Siliziumkarbidsubstrat 4 Zoll NG-Qualität, halbisolierender 4H-SiC-Wafer-IGBT
Angebotab €685,95 EUR
GaN-Substrat 4-Zoll-N-Typ Galliumnitrid Dummy Grade Wafer
Angebot€5.150,95 EUR
Siliziumkarbid-SiC-Ingot 6 Zoll N-Typ Produktion / Dummy-Qualität
Angebotab €285,95 EUR
Siliziumkarbid-SiC-Ingot 8 Zoll N-Typ Produktion / Dummy-Qualität
Angebotab €2.211,95 EUR
Aluminiumnitrid-Wafer 1~2 Zoll AIN mono hochreines Halbleitersubstrat
Angebotab €3.215,95 EUR