Silizium-Wafer-Verarbeitung

1, Ultra-Dünne/Ultra Flache

MEMS / SENSOR / IGBT / SAW / SOI / GWSS / Polnischer Wafer / Hohlraum usw.;
Ultradünne Verarbeitung, beispielsweise mit einer Dicke von 1–10 µm;
Silizium-Wafer werden auf etwa 5 µm ultradünn gemacht;
Ultradünner LT-Wafer bis ca. 1 µm;

2. Waferreinigung

Partikel: ≦10ea/WF (≧0,3μm)

Metallverunreinigungen nach der Reinigung

3, Kantenschleifen

Messerkantenvermeidungsverarbeitung
Verarbeitungs-Wafergröße: 4・5・6・8 Zoll