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Siliziumkarbid-SiC-Ingot 8 Zoll N-Typ Produktion / Dummy-QualitätSiliziumkarbid-SiC-Ingot 8 Zoll N-Typ Produktion / Dummy-Qualität
sic substrate  6 Inch Product Grade Siliziumkarbidsubstrat 4 Zoll NG-Qualität, halbisolierender 4H-SiC-Wafer-IGBT
sic substrate  6 Inch Product Grade Siliziumkarbidsubstrat 6 Zoll NG-Klasse N-Typ 4H SiC-Wafer IGBT
sic substrate  6 Inch Product Grade Siliziumkarbidsubstrat 6-Zoll-Produktions-/Dummy-Qualität 4H N-Typ SiC-Wafer IGBT
sic substrate  6 Inch Product Grade Siliziumkarbidsubstrat 8-Zoll-Produktion/Dummy/NG-Klasse N-Typ 4H SiC-Wafer IGBT
Hochreine Keramik-Lagerkugeln aus Siliziumnitrid (Si3N4) der Güteklasse G10Hochreine Keramik-Lagerkugeln aus Siliziumnitrid (Si3N4) der Güteklasse G10
Hochreine Keramik-Lagerkugeln aus Siliziumnitrid (Si3N4) der Güteklasse G16Hochreine Keramik-Lagerkugeln aus Siliziumnitrid (Si3N4) der Güteklasse G16
Siliziumnitrid (Si3N4) G3-Qualität, hohe Reinheit, hergestellt in Japan, KeramikkugelnSiliziumnitrid (Si3N4) G3-Qualität, hohe Reinheit, hergestellt in Japan, Keramikkugeln
Hochreine Keramik-Lagerkugeln aus Siliziumnitrid (Si3N4) der Güteklasse G5Hochreine Keramik-Lagerkugeln aus Siliziumnitrid (Si3N4) der Güteklasse G5
Wärmeleitendes Si3N4-Keramiksubstrat aus SiliziumnitridWärmeleitendes Si3N4-Keramiksubstrat aus Siliziumnitrid
Silizium-Wafer 12 Zoll doppelseitig poliertes Dummy-Grade-Recycling-SubstratSilizium-Wafer 12 Zoll doppelseitig poliertes Dummy-Grade-Recycling-Substrat
Siliziumwafer 12 Zoll P-Typ 1–100 Ω Oxidschicht HalbleitersubstratSiliziumwafer 12 Zoll P-Typ 1–100 Ω Oxidschicht Halbleitersubstrat
Siliziumwafer 8 Zoll P-Typ 1-100 Ω Oxidfilm-HalbleitersubstratSiliziumwafer 8 Zoll P-Typ 1-100 Ω Oxidfilm-Halbleitersubstrat
Siliziumwafer 12 Zoll P-Typ 1~100Ω doppelseitig poliert Testqualität HalbleitersubstratSiliziumwafer 12 Zoll P-Typ 1~100Ω doppelseitig poliert Testqualität Halbleitersubstrat
Siliziumwafer 18 Zoll doppelseitig poliert P110 1~50Ωsilicon Wafer Semiconductor 18 Inch
Siliziumwafer 2 Zoll FZ N-Typ (100/111) >1000 Ω ein-/doppelseitig poliertes SubstratSiliziumwafer 2 Zoll FZ N-Typ (100/111) >1000 Ω ein-/doppelseitig poliertes Substrat
Siliziumwafer 2 Zoll N-Typ 0,01 ~ 0,02 Ω Oxidschicht HalbleitersubstratSiliziumwafer 2 Zoll N-Typ 0,01 ~ 0,02 Ω Oxidschicht Halbleitersubstrat
Siliziumwafer 2 Zoll N-Typ (100) 0,002 ~ 0,004 Ω Oxidschicht HalbleitersubstratSiliziumwafer 2 Zoll N-Typ (100) 0,002 ~ 0,004 Ω Oxidschicht Halbleitersubstrat
Siliziumwafer 2 Zoll N-Typ (100/111) Einseitig/doppelseitig poliertes HalbleitersubstratSiliziumwafer 2 Zoll N-Typ (100/111) Einseitig/doppelseitig poliertes Halbleitersubstrat
Siliziumwafer 2 Zoll P-Typ 10~20Ω Oxidschicht HalbleitersubstratSiliziumwafer 2 Zoll P-Typ 10~20Ω Oxidschicht Halbleitersubstrat
Siliziumwafer 2 Zoll P-Typ (100/111) Ein-/doppelseitig poliertes HalbleitersubstratSiliziumwafer 2 Zoll P-Typ (100/111) Ein-/doppelseitig poliertes Halbleitersubstrat
Silizium-Wafer 2 Zoll P/N Typ 1~10Ω Oxidschicht HalbleitersubstratSilizium-Wafer 2 Zoll P/N Typ 1~10Ω Oxidschicht Halbleitersubstrat
Siliziumwafer 3 Zoll FZ N-Typ (100) >1000Ω einseitig poliertes SubstratSiliziumwafer 3 Zoll FZ N-Typ (100) >1000Ω einseitig poliertes Substrat
Siliziumwafer 3 Zoll N-Typ (100/111) Einseitig/doppelseitig poliertes HalbleitersubstratSiliziumwafer 3 Zoll N-Typ (100/111) Einseitig/doppelseitig poliertes Halbleitersubstrat
Siliziumwafer 3 Zoll P-Typ 0,01–0,09 Ω Oxidschicht HalbleitersubstratSiliziumwafer 3 Zoll P-Typ 0,01–0,09 Ω Oxidschicht Halbleitersubstrat
Siliziumwafer 3 Zoll P-Typ (100/111) Ein-/doppelseitig poliertes HalbleitersubstratSiliziumwafer 3 Zoll P-Typ (100/111) Ein-/doppelseitig poliertes Halbleitersubstrat
Silizium-Wafer 3 Zoll P/N-Typ 10~20Ω Oxidschicht HalbleitersubstratSilizium-Wafer 3 Zoll P/N-Typ 10~20Ω Oxidschicht Halbleitersubstrat
Silizium-Wafer 3 Zoll P/N-Typ 1~10Ω Oxidschicht HalbleitersubstratSilizium-Wafer 3 Zoll P/N-Typ 1~10Ω Oxidschicht Halbleitersubstrat
Siliziumwafer 4 Zoll FZ N-Typ (100) >1000Ω einseitig poliertes SubstratSiliziumwafer 4 Zoll FZ N-Typ (100) >1000Ω einseitig poliertes Substrat
Siliziumwafer 4 Zoll FZ N-Typ (111) 50~70Ω einseitig poliertes SubstratSilicon Wafer Semiconductor 4 Inch FZ
Siliziumwafer 4 Zoll FZ(100) >10000Ω einseitig poliertes SubstratSilicon Wafer Semiconductor 4 Inch FZ
Siliziumwafer 4 Zoll N-Typ 0,01 ~ 0,02 Ω Oxidschicht HalbleitersubstratSiliziumwafer 4 Zoll N-Typ 0,01 ~ 0,02 Ω Oxidschicht Halbleitersubstrat
Siliziumwafer 4 Zoll N-Typ 0,01 ~ 0,09 Ω Oxidschicht 300 nm HalbleitersubstratSiliziumwafer 4 Zoll N-Typ 0,01 ~ 0,09 Ω Oxidschicht 300 nm Halbleitersubstrat
Siliziumwafer 4 Zoll N-Typ 10~20Ω Oxidschicht HalbleitersubstratSiliziumwafer 4 Zoll N-Typ 10~20Ω Oxidschicht Halbleitersubstrat
Siliziumwafer 4 Zoll N-Typ (100) 0,01 ~ 0,02 Ω Goldschicht 100 nm HalbleitersubstratSiliziumwafer 4 Zoll N-Typ (100) 0,01 ~ 0,02 Ω Goldschicht 100 nm Halbleitersubstrat
Siliziumwafer 4 Zoll N-Typ (100) Ein-/doppelseitig poliertes HalbleitersubstratSiliziumwafer 4 Zoll N-Typ (100) Ein-/doppelseitig poliertes Halbleitersubstrat
Siliziumwafer 4 Zoll N-Typ (111) 6~12Ω Silberschicht 100 nm HalbleitersubstratSiliziumwafer 4 Zoll N-Typ (111) 6~12Ω Silberschicht 100 nm Halbleitersubstrat
Siliziumwafer 4 Zoll N-Typ (111) Ein-/Doppelseitig poliertes HalbleitersubstratSiliziumwafer 4 Zoll N-Typ (111) Ein-/Doppelseitig poliertes Halbleitersubstrat
Siliziumwafer 4 Zoll N-Typ 0,002 ~ 0,004 Ω Oxidschicht HalbleitersubstratSiliziumwafer 4 Zoll N-Typ 0,002 ~ 0,004 Ω Oxidschicht Halbleitersubstrat
Siliziumwafer 4 Zoll P-Typ (100) 0,005–0,01 Ω Nickelschicht 1000 nm Halbleitersubstrat
Siliziumwafer 4 Zoll P-Typ (100) SIN-Schicht 150/300 nm Halbleitersubstrat Siliziumwafer 4 Zoll P-Typ (100) SIN-Schicht 150/300 nm Halbleitersubstrat
Siliziumwafer 4 Zoll P-Typ (100) SIN-Schicht 50 nm HalbleitersubstratSiliziumwafer 4 Zoll P-Typ (100) SIN-Schicht 50 nm Halbleitersubstrat
Siliziumwafer 4 Zoll P-Typ (100) Ein-/doppelseitig poliertes HalbleitersubstratSiliziumwafer 4 Zoll P-Typ (100) Ein-/doppelseitig poliertes Halbleitersubstrat
Siliziumwafer 4 Zoll P-Typ (110) Einseitig poliertes HalbleitersubstratSiliziumwafer 4 Zoll P-Typ (110) Einseitig poliertes Halbleitersubstrat
Siliziumwafer 4 Zoll P-Typ (111) Einseitig poliertes HalbleitersubstratSiliziumwafer 4 Zoll P-Typ (111) Einseitig poliertes Halbleitersubstrat
Silicon Wafer 4inch P-Type(100) 0.001-0.005Ω Single Sided Polished SubstrateSilicon Wafer 4inch P-Type(100) 0.001-0.005Ω Single Sided Polished Substrate
Silizium-Wafer 4 Zoll P/N-Typ 0,001 ~ 0,005 Ω Oxidschicht HalbleitersubstratSilizium-Wafer 4 Zoll P/N-Typ 0,001 ~ 0,005 Ω Oxidschicht Halbleitersubstrat
Silizium-Wafer 4 Zoll P/N Typ 1~10Ω Oxidschicht HalbleitersubstratSilizium-Wafer 4 Zoll P/N Typ 1~10Ω Oxidschicht Halbleitersubstrat