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Wärmeleitendes Si3N4-Keramiksubstrat aus Siliziumnitrid

Angebot€159,95 EUR

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♦️ High-quality silicon nitride conductive substrate for IGBT etc.

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Si3N4 Substrate Specification:

  • Size:50×50×0.32mm ;

  • Thermal conductivity (25 ℃): ≥80 W/(m•k);

  • Surface roughness:≤0.8Ra ;

  • Bulk density:3.20 ± 0.05 g/cm3 ;

  • Modulus of elasticity:300~320 Gpa ;

  • Poisson's ratio:≤0.29;

  • Vickers hardness:≥14.2 Gpa ;

  • Coefficient of thermal expansion(25 ℃ ~ 500 ℃):3.0~3.2(10-6/℃);

  • Fracture toughness:6.0~7.0 MPa;

  • Bending strength (three-point bending):700~800 MPa;

 

Silicon nitride thermal conductive substrates are widely used in the fields of LED, microelectronic welding and other fields, power transmitters, photovoltaic devices, IGBT modules, semiconductor packaging substrates, other high-power optoelectronics, and semiconductor devices.


Wärmeleitendes Si3N4-Keramiksubstrat aus Siliziumnitrid
Wärmeleitendes Si3N4-Keramiksubstrat aus Siliziumnitrid Angebot€159,95 EUR

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